(1)利用液體材料制成硅薄膜。
2006年4月6日，日本精工愛(ài)普生公司研發(fā)本部研究員下田達也領(lǐng)導的研究小組，在英國《自然》科學(xué)雜志上發(fā)表研究成果稱(chēng)，他們使用液體材料成功地制成硅薄膜。使用這種硅薄膜的低溫多晶硅薄膜場(chǎng)效應晶體管的電子遷移率，高達108厘米2/Vs，實(shí)現了和過(guò)去利用化學(xué)氣相沉積法形成的薄膜場(chǎng)效應晶體管相同的性能。
由于使用的是液體材料，因此該薄膜很大的一個(gè)特點(diǎn)，就是能夠利用涂布方式形成。不需要真空設備和無(wú)塵操作室等造價(jià)昂貴的設備。新的薄膜場(chǎng)效應晶體管，就是利用旋鍍方式進(jìn)行涂布形成的。
(2)開(kāi)發(fā)出超薄型電磁噪音吸收膜。
2006年4月，日本住友公司開(kāi)發(fā)出，面向手機以及數碼相機等小型數字設備的，超薄電磁噪音吸收膜“超薄噪音抑制膜”。它可以吸收在組合模塊部件、量產(chǎn)試制最終產(chǎn)品等階段發(fā)現的電磁噪音。由于包括粘接劑在內的抑制膜整體，厚度控制在0.08毫米，因此適用于便攜式高性能設備。
該產(chǎn)品采用，向超薄柔軟的樹(shù)脂層中，高密度填充磁性填充劑、分層涂覆丙烯酸類(lèi)粘接劑的結構?？晌?0M～3GHz的大泛圍電磁噪音，并將其轉化為微小熱量，從而確保流經(jīng)柔性電路板的信號傳輸質(zhì)量。
數字設備正在趨向于設計模塊化，每個(gè)模塊部件都要求做到包括電磁噪音在內的最優(yōu)化。然而，當把數個(gè)模塊部件組合起來(lái)成為最終產(chǎn)品時(shí)，有時(shí)會(huì )產(chǎn)生設計階段所預料不到的電磁噪音等。這時(shí)就要使用電磁噪音吸收片。這種新型電磁噪音吸收片，以超薄為賣(mài)點(diǎn)，預計在超小、超薄以及多功能和高性能、高密度設計的設備領(lǐng)域，存在很大需求。
(3)開(kāi)發(fā)出砷化銦二維半導體量子膜。
2011年1 1月，美國加利福尼亞大學(xué)伯克利分校的阿里·杰維領(lǐng)導的研究小組，在《納米快報》上發(fā)表論文稱(chēng)，他們開(kāi)發(fā)出一種全新的二維半導體，這是一種由砷化銦制造的“量子膜”，具有帶狀結構，只需簡(jiǎn)單地減小尺寸就能從塊狀三維材料轉變?yōu)槎S材料。
當半導體材料的尺寸小到納米級，它們在電學(xué)和光學(xué)方面的性質(zhì)就會(huì )發(fā)生極大改變，產(chǎn)生量子限制效應，由此人們可以制造出被稱(chēng)為量子膜的二維晶體管。量子膜約為10納米或更少，其運行基本上被限制在一個(gè)二維空間中。由于這種獨特的性質(zhì)，它們能在高度專(zhuān)業(yè)化的量子光學(xué)與電子應用領(lǐng)域大展所長(cháng)。
目前，二維半導體方面的研究，大部分要用到石墨烯類(lèi)的材料。杰維研究小組通過(guò)另一種途徑，制造出砷化銦“量子膜”。而且，新量子膜可以作為一種無(wú)需襯底的獨立材料，能和各種襯底結合，而以往其他同類(lèi)材料只能用于一種襯底。
他們先在銻化鎵和銻化鋁鎵襯底上，生長(cháng)出砷化銦，把它置于頂層，并設計成任何想要的樣子，然后將底層腐蝕掉，把剩下的砷化銦層移到任何需要的襯底上，制成最終產(chǎn)品。
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